DMN95H8D5HCTI

Name: DMN95H8D5HCTI
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7138808-DMN95H8D5HCTI
Price: 9.995202 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 950伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Tc）最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: ITO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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1+	9.99520	9.99520
10+	8.93049	89.30496
100+	6.96332	696.33240
500+	5.75231	2876.15550
1000+	4.54129	4541.29800
2000+	4.23854	8477.09000
5000+	4.12845	20642.26500

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
安装类别通孔
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
最大功耗 30W (Tc)
包装/外壳 TO-220-3全包装，独立接线片
供应商设备包装 ITO-220AB
漏源电压标 (Vdss) 950伏
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 470 pF @ 25 V
漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A（Tc）
导通电阻 Rds(ON) 7欧姆 @ 1A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.9 nC @ 10 V
色彩/颜色 -

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型号	制造商	描述	价格
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DMN2004WK	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.29688

DMN95H8D5HCTI所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMN95H8D5HCTI 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMN95H8D5HCTI价格参考￥9.995202，你可以下载 DMN95H8D5HCTI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMN95H8D5HCTI规格参数、现货库存、封装信息等信息！