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IPW60R165CP是MOSFET N-CH 600V 21A TO-247，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW60R265CPFKSA1 IPW60R165CPXK SP000095483，提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为192 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为21A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为165mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
IPW60R160P6是MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以1.340411盎司单位重量运行，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及XPW60R160系列，该器件也可以用作160欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，零件别名为IPW60R160P6FKSA1 SP001017092，该设备采用管式封装，该设备具有TO-247-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为6 a。
IPW60R160C6FKSA1是MOSFET N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作。数据表中显示了用于管的封装，该管提供部件别名功能，如IPW60R1 60C6 IPW60R 60C6XK SP000652798，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
IPW60R160P6FKSA1，带EDA/CAD型号，包括管包装，设计用于to-247-3包装箱，技术如数据表注释所示，用于Si，提供零件别名功能，如IPW60R160P6 SP001017092，商品名设计用于CoolMOS。
