SIHJ240N60E-T1-GE3

Name: SIHJ240N60E-T1-GE3
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7139061-SIHJ240N60E-T1-GE3
Price: 21.728700 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc）最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
漏源电压标 (Vdss) 600 V
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
漏源电流 (Id) @ 温度 12A（Tc）
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23 nC@10 V
最大功耗 89W (Tc)
包装/外壳 PowerPAKSO-8
供应商设备包装 PowerPAKSO-8
导通电阻 Rds(ON) 240毫欧姆@5.5A，10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 783 pF @ 100 V
材质 -

SIHJ240N60E-T1-GE3 产品详情

Vishay 600V/650V E系列PowerPAK� SO-8L MOSFET为照明、工业、电信、计算和消费应用提供了更高的可靠性和更低的封装电感。基于Vishay的Superjunction技术，这些N沟道MOSFET具有在10V时低至0.52的最大导通电阻、低至17nC的超低栅极电荷和低栅极电荷时间导通电阻，这是用于功率转换应用的MOSFET的关键品质因数（FOM）。

MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

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型号	制造商	描述	价格
SIHD6N80E-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥16.15167
SIHA11N80E-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc）最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥26.87116
SIHG30N60E-GE3	威世半导体 (Vishay Cera-Mite)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc）最大功耗: 250W（Tc）供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥17.00429
SIHB33N60EF-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 278W（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥49.32415
SIHP100N60E-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W（Tc）供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥37.80794
SIHB100N60E-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥38.4598
SIHF065N60E-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥51.93159
SIHB21N65EF-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc）最大功耗: 208W（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥38.53223
SIHP120N60E-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc）最大功耗: 179W（Tc）供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥39.11166
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SIHJ240N60E-T1-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SIHJ240N60E-T1-GE3 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIHJ240N60E-T1-GE3价格参考￥21.728700，你可以下载 SIHJ240N60E-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIHJ240N60E-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！