9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTD5C648NLT4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTD5C648NLT4G价格参考2.87000美元。onsemi NTD5C648NLT4G封装/规格：MOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK。您可以下载NTD5C648NLT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTD5867NLT4G是MOSFET N-CH 60V 20A DPAK，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计为以0.139332盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在DPAK-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为36W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为675pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为20A（Tc），最大Id Vgs的Rds为39 mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为15nC@10V，Pd功耗为36 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.4 ns，上升时间为12.6 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极源极导通电阻为39mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为15nC，正向跨导Min为8S。
NTD5867NLG，带有ON制造的用户指南。NTD5867 NLG采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
NTD5867NT4G，带有ON制造的电路图。NTD5867 NT4G采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
NTD5P6V，带有ON制造的EDA/CAD型号。NTD5P6 V采用TO-252-2封装，是IC芯片的一部分。
