DMN95H8D5HCT

Name: DMN95H8D5HCT
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7139226-DMN95H8D5HCT
Price: 9.488199 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 950伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Tc）最大功耗: 125W（Tc）供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:5-7 工作日

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10+	8.45970	84.59707
100+	6.59683	659.68330
500+	5.44955	2724.77900
1000+	4.30228	4302.28300
2000+	4.01546	8030.92800
5000+	3.91116	19555.83000

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
安装类别通孔
包装/外壳至220-3
最大功耗 125W（Tc）
供应商设备包装 TO-220AB
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
漏源电压标 (Vdss) 950伏
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 470 pF @ 25 V
漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A（Tc）
导通电阻 Rds(ON) 7欧姆 @ 1A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.9 nC @ 10 V
材质 -

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型号	制造商	描述	价格
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DMNF6-63M-L	泛达 (Panduit)	端子类别: 标准连接头材料: 电解铜公母: 公接头线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米）端接: 压接	¥2.79576
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DMN6068SE-13-VB		类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A	¥3.32099
DMN2004WK	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.29688

DMN95H8D5HCT所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMN95H8D5HCT 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMN95H8D5HCT价格参考￥9.488199，你可以下载 DMN95H8D5HCT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMN95H8D5HCT规格参数、现货库存、封装信息等信息！