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NVMYS1D3N04CTWG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 43A (Ta), 252A (Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 134W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK4(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 25.57250 25.57250
  • 库存: 20
  • 单价: ¥25.57251
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    - +
  • 总计: ¥25.57
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 75 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 LFPAK4(5x6)
  • 包装/外壳 SOT-1023,4-LFPAK
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4855 pF @ 25 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@180A.
  • 最大功耗 3.9W (Ta), 134W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 43A (Ta), 252A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.15欧姆@50A,10V
  • 材质

NVMYS1D3N04CTWG 产品详情

NVMYS1D3N04CTWG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NVMYS1D3N04CTWG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVMYS1D3N04CTWG价格参考¥25.572507,你可以下载 NVMYS1D3N04CTWG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVMYS1D3N04CTWG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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