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STD4N80K5

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.18207 13.18207
10+ 11.85662 118.56627
100+ 9.52875 952.87590
500+ 7.82870 3914.35300
1000+ 7.11701 7117.01800
2500+ 7.11701 17792.54500
  • 库存: 1
  • 单价: ¥12.02321
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.18
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 最大功耗 60W (Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 800 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 100A
  • 供应商设备包装 DPAK
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.5欧姆@1.5A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.5 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 175 pF@100 V
  • 色彩/颜色 -

STD4N80K5 产品详情

这些非常高电压的N沟道功率MOSFET是使用基于创新的专有垂直结构的MDmesh K5技术设计的。其结果是,对于需要高功率密度和高效率的应用,导通电阻和超低栅极电荷显著降低。

特色

  • 行业最慢的RDS(on)xarea
  • 行业最佳绩效指标(FoM)
  • 超低门电荷
  • 100%雪崩测试
  • 齐纳保护

STD4N80K5所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STD4N80K5 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STD4N80K5价格参考¥12.023214,你可以下载 STD4N80K5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STD4N80K5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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