9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHP25N40D-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHP25N40D-GE3参考价格为3.21000美元。Vishay Siliconix SIHP25N40D-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB。您可以下载SIHP25N40D-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHP22N60S-E3是MOSFET 600V N沟道超结TO-220，包括E系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，晶体管类型为1N沟道，器件提供250W Pd功耗，器件具有59ns的下降时间，上升时间为68ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为22A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第二栅极-源极端电压为4V，Rds漏极源极电阻为160mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为77ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为75nC，正向跨导Min为9.4S。
带有用户指南的SIHP25N40D-E3，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了E等系列功能，包装设计为在卷轴中工作，以及1个通道数。
SIHP18N60E-GE3，带电路图，包括卷筒包装。
SIHP22N60EL-GE3，带EDA/CAD模型，包括卷筒包装。
