RQ6L020SPTCR
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: TSMT6(SC-95) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 7.17047 | 7.17047 |
10+ | 6.39548 | 63.95481 |
100+ | 4.98456 | 498.45640 |
500+ | 4.11744 | 2058.72200 |
1000+ | 3.25061 | 3250.61400 |
3000+ | 3.03390 | 9101.71800 |
6000+ | 2.95510 | 17730.61800 |
- 库存: 835
- 单价: ¥7.17047
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.17
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 场效应管类型 P-通道
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Ta)
- 工作温度 150摄氏度(TJ)
- 最大功耗 1.25W(Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
- 供应商设备包装 TSMT6(SC-95)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 750 pF @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 210欧姆@2A,10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.2 nC @ 5 V
- 材质 -
RQ6L020SPTCR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RQ6L020SPTCR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RQ6L020SPTCR价格参考¥7.170471,你可以下载 RQ6L020SPTCR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RQ6L020SPTCR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...