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DMNH6012SPSQ-13

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: PowerDI5060-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.31293 12.31293
10+ 10.98023 109.80236
100+ 8.56328 856.32810
500+ 7.07385 3536.92550
1000+ 5.58456 5584.56600
2500+ 5.21228 13030.70250
5000+ 5.07691 25384.55500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.31293
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.31
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
  • 最大功耗 1.6W(Ta)
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 供应商设备包装 PowerDI5060-8
  • 导通电阻 Rds(ON) 11毫欧姆@50A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 35.2 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1926 pF@30 V
  • 色彩/颜色 White

DMNH6012SPSQ-13 产品详情

DMNH6012SPSQ-13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMNH6012SPSQ-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMNH6012SPSQ-13价格参考¥12.312930,你可以下载 DMNH6012SPSQ-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMNH6012SPSQ-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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