9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ3469EV-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ3469EV-T1_GE3参考价格0.72000美元。Vishay Siliconix SQ3469EV-T1_GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP。您可以下载SQ3469EV-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQ3460EV-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP，包括SQ系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SQ3460EV-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商标，该设备也可以用作TSOP-6封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为3.6 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为8纳秒，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为8A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds漏极源极导通电阻为30mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21nS，Qg栅极电荷为9.3nC。
SQ3457EV-T1_GE3和用户指南，包括-30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于P沟道晶体管极性，产品名称显示在数据表注释中，用于提供Si等技术特性的TrenchFET，该系列设计用于SQ系列以及卷筒包装，其最大工作温度范围为+175 C。
SQ3457EV-T1-GE3，带有VIS制造的电路图。SQ3457EV-T1-GE3在TSOP-6封装中提供，是IC芯片的一部分。
