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AON7406

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta)、25A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta),15.5W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.47659 3.47659
10+ 2.84646 28.46460
100+ 1.93747 193.74760
500+ 1.45321 726.60750
1000+ 1.08991 1089.91200
2000+ 0.99908 1998.17200
5000+ 0.93853 4692.67500
10000+ 0.87798 8779.84000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.47659
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.48
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规格参数

  • 长(英寸) forty-eight
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 制造厂商 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A.
  • 供应商设备包装 8-DFN-EP (3x3)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 17毫欧姆@9A,10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9A(Ta)、25A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 888 pF @ 15 V
  • 最大功耗 3.1W(Ta),15.5W(Tc)

AON7406 产品详情

AON7406采用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)。该设备适用于SMPS和通用应用。

产品概要
VDS 30伏
ID(VGS=10V时)25A
RDS(开启)(VGS=10V时)<17mΩ
RDS(开启)(VGS=4.5V时)<23mΩ
典型ESD保护HBM 2级
100%UIS测试
100%Rg测试

 

AON7406所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AON7406 由 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AON7406价格参考¥3.476592,你可以下载 AON7406中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AON7406规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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