STD95N2LH5

Name: STD95N2LH5
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7139684-STD95N2LH5
Price: 10.936779 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 25伏漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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数量	单价	合计
1+	12.24050	12.24050
10+	10.97299	109.72994
100+	8.82112	882.11280
500+	7.24739	3623.69550
1000+	6.58850	6588.50400
2500+	6.58850	16471.26000

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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
安装类别表面安装
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
供应商设备包装 DPAK
最大功耗 70W (Tc)
漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Tc)
漏源电压标 (Vdss) 25伏
导通电阻 Rds(ON) 4.5毫欧姆 @ 40A, 10V
最大栅源极电压 (Vgs) ±22V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13.4 nC@5V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1817 pF@25 V
材质钢

STD95N2LH5 产品详情

N沟道STripFET™ 五、 STMicroelectronics公司

STripFET™ 具有宽击穿电压范围的MOSFET提供超低栅极电荷和低导通电阻。

特色

RDS（on）*Qginindustrybnchmark
高雪崩强度
电阻极低RDS（开）
低速门驱动功率损失

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STDLED627	意法半导体 (STMicroelectronics)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥56.69742
STD20NF06L	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.66974
STDP9320-BB	意法半导体 (STMicroelectronics)		¥218.39009

STD95N2LH5所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD95N2LH5 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD95N2LH5价格参考￥10.936779，你可以下载 STD95N2LH5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD95N2LH5规格参数、现货库存、封装信息等信息！