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DMN4468LSS-13

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 1.52W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.47659 3.47659
10+ 2.98407 29.84075
100+ 2.22646 222.64670
500+ 1.74930 874.65250
1000+ 1.35174 1351.74200
2500+ 1.23245 3081.13000
5000+ 1.15292 5764.62500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.47659
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.48
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10A(Ta)
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 导通电阻 Rds(ON) 14欧姆@11.6A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18.85 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 867 pF @ 10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.95V@250A.
  • 最大功耗 1.52W(Ta)
  • 材质

DMN4468LSS-13 产品详情

DMN4468LSS-13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMN4468LSS-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN4468LSS-13价格参考¥3.476592,你可以下载 DMN4468LSS-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN4468LSS-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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