STD5N20LT4

Name: STD5N20LT4
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7139885-STD5N20LT4
Price: 6.735897 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 200伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 200伏
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
供应商设备包装 DPAK
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6 nC @ 5 V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V
漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Tc)
最大功耗 33W (Tc)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 242 pF@25 V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@50A.
导通电阻 Rds(ON) 700毫欧姆 @ 2.5A, 5V
材质 -

STD5N20LT4 产品详情

STD5N20LT4采用了ST专有STripFET技术的最新先进设计规则。这适用于要求最高的直流电机控制和照明应用。

特色

TYPICALRDS（开）=0.65Ω@5V
低输入能力
导电损失降低
低阈值装置

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型号	制造商	描述	价格
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STD24N06LT4G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc）最大功耗: 1.36W（Ta），62.5W（Tj）供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥78.46958
STD3055L104T4G	安盛美 (onsemi)	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK-3	¥169.87498
STD110N02RT4G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 24伏漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta）、110W（Tc）供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.40416
STDLED627	意法半导体 (STMicroelectronics)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥56.69742
STD20NF06L	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.66974
STDP9320-BB	意法半导体 (STMicroelectronics)		¥218.39009

STD5N20LT4所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD5N20LT4 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD5N20LT4价格参考￥6.735897，你可以下载 STD5N20LT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD5N20LT4规格参数、现货库存、封装信息等信息！