特色
- 低RDS（打开）
- 最小化传导损耗
- 低电容
- 最小化驾驶员损失
- 优化门电荷
- 最小化开关损耗
- 最低温度1/260°C
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS
应用
- CPU供电
- DC−DC转换器
- 电机驱动器
（图片：引出线）
NTD5802NT4G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.4A（Ta）、101A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），93.75W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 12.89236 | 12.89236 |
| 10+ | 11.58864 | 115.88640 |
| 100+ | 9.31509 | 931.50940 |
| 500+ | 7.65313 | 3826.56900 |
| 1000+ | 6.95738 | 6957.38500 |
| 2500+ | 6.95738 | 17393.46250 |
- 库存: 0
- 单价: ¥11.22650
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.89
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 供应商设备包装 DPAK
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 100 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 16.4A（Ta）、101A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 4.4毫欧姆 @ 50A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5025 pF @ 25 V
- 最大功耗 2.5W（Ta），93.75W（Tc）
- 材质 -
NTD5802NT4G 产品详情
功率MOSFET 40V 101A 4.4 mOhm单N沟道DPAK
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | NTD4302-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | ¥1.59344 |
| NTD2955-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | ¥1.01401 |
 | NTD60N02R-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 24V 62A IPAK | ¥0.86915 |
 | NTD20N06L | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CHAN LL 20A 60V DPAK | ¥3.11445 |
| NTD4404N1G | 安盛美 (onsemi) | POWER MOSFET, 85 A, 24 V, N-CHAN | ¥2.96959 |
 | NTD2955-1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 55W (Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.37375 |
 | NTD50N03RT4 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Ta), 45A (Tc) 最大功耗: 1.5W（Ta）、50W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥0.72429 |
 | NTD4808N-35G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、63A（Tc） 最大功耗: 1.4W（Ta），54.6W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥0.72429 |
 | NTD4970N-35G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta), 36A (Tc) 最大功耗: 1.38W（Ta），24.6W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.46259 |
 | NTDV20N06T4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 1.88W（Ta），60W（Tj） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.25931 |
NTD5802NT4G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTD5802NT4G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTD5802NT4G价格参考￥11.226495，你可以下载 NTD5802NT4G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTD5802NT4G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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