9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMN2050L-7,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2050L-7参考价格为0.50000美元。Diodes Incorporated DMN2050L-7封装/规格:MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3。您可以下载DMN2050L-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2046U-7,带引脚细节,包括DMN2046系列,设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,包装箱如数据表注释所示,用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3,提供Si等技术特性,工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),以及表面安装安装类型,该设备也可以用作1信道数信道。此外,供应商设备包为SOT-23,该设备为MOSFET N沟道、金属氧化物FET型,该设备最大功率为760mW,晶体管类型为1 N沟道,漏极至源极电压Vdss为20V,输入电容Ciss Vds为292pF@10V,FET特性为标准,25°C的电流连续漏极Id为3.4A(Ta),最大Id Vgs的Rds为72 mOhm@3.6A,4.5V,Vgs最大Id为1.4V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为3.8nC@4.5V,晶体管极性为N沟道。
带用户指南的DMN2041UFDB-7,包括1.4V@250μA Vgs th Max Id,设计用于2 N沟道晶体管类型,晶体管极性如数据表注释所示,用于N沟道,提供Si等技术特性,供应商设备包设计用于U-DFN2020-6以及DMC041系列,该设备也可用于40 mOhm@4.2A,4.5V Rds最大Id Vgs。此外,最大功率为1.4W,该器件采用Digi-ReelR交替封装,该器件有一个6-UDFN封装外壳暴露垫,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),通道数为2通道,安装类型为表面安装,输入电容Cis-Vds为713pF@10V,栅极电荷Qg-Vgs为15nC@8V,FET类型为2 N沟道(双),FET特性为标准,漏极到源极电压Vdss为20V,电流连续漏极Id 25°C为4.7A。
带有电路图的DMN2046U-13,包括1个通道数量的通道,它们设计为与卷筒包装一起工作,系列如数据表注释所示,用于DMN2046,提供Si等技术特性,晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。