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DMN3016LFDF-7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 2.02W(Ta) 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type F) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.62145 3.62145
10+ 3.12169 31.21690
100+ 2.32931 232.93170
500+ 1.82984 914.92300
1000+ 1.41403 1414.03100
3000+ 1.28923 3867.70800
6000+ 1.20608 7236.52800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.62145
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.62
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25.1 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1415 pF@15 V
  • 供应商设备包装 U-DFN2020-6 (Type F)
  • 导通电阻 Rds(ON) 12毫欧姆@11A,10V
  • 最大功耗 2.02W(Ta)

DMN3016LFDF-7 产品详情

N沟道MOSFET,30V,二极管公司
DMN3016LFDF-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMN3016LFDF-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN3016LFDF-7价格参考¥3.621450,你可以下载 DMN3016LFDF-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN3016LFDF-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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