9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2300U-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2300U-7参考价格为0.50000美元。Diodes Incorporated DMN2300U-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23。您可以下载DMN2300U-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2230UQ-7带有引脚细节，包括DMN2230系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-23-3以及Si技术，该设备也可用于1通道数的通道。此外，该配置是单一的，该器件以600mW Pd功耗提供，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为8.3 ns，上升时间为3.8 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-12 V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为500mV，Rds导通漏极-漏极电阻为230mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19.6ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为2.3nC，沟道模式为增强。
DMN2250UFB-7B是MOSFET N-CH MOSFET 20V，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于DMN22，以及250 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为X1-DFN1006-2，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有1.35 a的Id连续漏电流。
DMN2230UQ-13带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用硅技术操作。
