9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD10P10F6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD10P10F6参考价格为0.94000美元。STMicroelectronics STD10P10F6封装/规格：MOSFET P-CH 100V 10A DPAK。您可以下载STD10P10F6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如STD10P10F6价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STD10NM60N是MOSFET N-CH 600V 10A DPAK，包括MDmesh？II系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为70W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为540pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为10A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为550 mOhm@4A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为19nC@10V，Pd功耗为70 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为550mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型导通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为19nC。
STD10NM65N是MOSFET N-CH 650V 9A DPAK，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件的上升时间为8 ns，漏极电阻Rds为480 mOhms，Pd功耗为90 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为9 A，下降时间为20 ns，配置为单一，通道模式为增强。
STD10NM60ND是MOSFET N-CH 600V 8A DPAK，包括单一配置，它们设计为在8 a Id连续漏电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，包装为卷轴式，该器件提供70 W Pd功耗，该器件具有600 mOhms的Rds漏极-源极电阻，系列为N沟道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.13932 oz，Vds漏极源极击穿电压为650 V，Vgs栅极-源极电压为25V。
STD10NM60M2，带有STD/CAD模型。STD10NM60M2采用TO252封装，是IC芯片的一部分。
