9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIB433EDK-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIB433EDK-T1-GE3参考价格为0.55000美元。Vishay Siliconix SIB433EDK-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6。您可以下载SIB433EDK-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SiB433EDK-T1-GE3是MOSFET 20V 9A P-CH MOSFET，包括卷轴封装，它们设计用于SiB433EDK GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.003386盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SC-75-6以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有13W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为+/-8 V，Id连续漏极电流为-9 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为-0.4V至-1V，漏极-源极电阻Rds为47mOhms，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为14nC，正向跨导Min为12S。
SIB-1100-02-F-S-LC，带有用户指南，包括SIB系列，它们设计为在0.100英寸（2.54mm）间距、包装如数据表注释所示，适用于提供行数功能（如1）的管，触点数量设计为10个，以及表面安装安装类型，该设备也可用作磷青铜材料。此外，触点完成厚度为闪光，该设备提供金触点完成，该设备具有压缩触点，非接头类型。
SIB-108-02-F-S-LC，带电路图，包括压缩触点、非类型连接器类型，它们设计为使用金色触点表面，触点表面厚度如数据表注释所示，用于闪存，提供磷青铜等材料特性，安装类型设计为表面安装，以及8个触点，该设备也可以用作1行数。此外，包装为管式，该设备提供0.100“（2.54mm）节距，该设备具有系列SIB。
SIB415DK-T1-E3是由VISHAY制造的Trans-MOSFET P-CH 30V 4.17A 6引脚PowerPAK SC-75 T/R。SIB415DK-T1-E3采用QFN封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET P-CH 30V 4.17A 6引脚PowerPAK SC-75 T/R。
