9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN10H170SVT-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN10H170SVT-7参考价格为0.56000美元。Diodes Incorporated DMN10H170SVT-7封装/规格：MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26。您可以下载DMN10H170SVT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMN10H170SK3-13是MOSFET N-CH 100V 12A TO252，包括DMN10系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63等封装盒功能，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-252-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为42W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为1167pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs的Rds为140mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为9.7nC@10V，Pd功耗为42W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12.8 ns，上升时间为11.1 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第th栅极-源阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为140mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42.6ns，典型接通延迟时间为10.5ns，Qg栅极电荷为9.7nC，信道模式为增强。
DMN10H170SFG-7带用户指南，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.002540 oz，典型开启延迟时间设计为4.4 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联DMN10，上升时间为2.3ns，Rds漏极-源极电阻为122mOhms，Qg栅极电荷为14.9nC，Pd功耗为2W，封装为卷轴式，封装外壳为PowerDI-3333，通道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2.9 A，正向跨导最小值为4.4 S，下降时间为3.4 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的DMN10H170SVT-13，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于DMN10，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
