9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN30H4D0LFDE-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN30H4D0LFDE-7参考价格为0.57000美元。Diodes Incorporated DMN30H4D0LFDE-7封装/规格：MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN。您可以下载DMN30H4D0LFDE-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMN30H4D0L-13带有引脚细节，包括DMN30系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-23-3以及Si技术，该设备也可用于1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有630 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为17.5 ns，上升时间为4.7 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，并且Id连续漏极电流为550mA，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25.8ns，典型接通延迟时间为4.9ns，Qg栅极电荷为7.6nC，沟道模式为增强。
DMN30H14DLY-13带用户指南，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于300 V，提供单位重量功能，如0.004603 oz，典型开启延迟时间设计为3.3 ns，以及22 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PowerDI商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为DMN30，上升时间为8.6 ns，漏极-源极电阻Rds为6欧姆，Qg栅极电荷为4 nC，Pd功耗为2.2 W，封装为Reel，封装盒为SOT-89-3，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为210 mA，下降时间为12 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMN3070SSN-7是MOSFET 30V N-CH MOSFET，包括4.2 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表中显示了用于1信道的信道数，该信道提供SC-59-3等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及50 mOhms Rds漏极源电阻，该设备也可以用作DMN3070系列。此外，该技术为Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.000282盎司，Vds漏极-源极击穿电压为30 V。
