9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIB457EDK-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIB457EDK-T1-GE3参考价格为0.58000美元。Vishay Siliconix SIB457EDK-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6。您可以下载SIB457EDK-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIB452DK-T1-GE3是MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIB552DK-GE3的零件别名，该SIB452DK GE3提供单位重量功能，如0.003386盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SC-75-6L封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SC-75-6L单通道，配置为单四漏双源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为13W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为190V，输入电容Cis-Vds为135pF@50V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为1.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2.4 Ohm@500mA，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为6.5nC@10V，Pd功耗为2.4W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为15 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为670 mA，Vds漏极-源极击穿电压为190 V，Rds漏极源极电阻为2.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为12ns，信道模式为增强。
SIB456DK-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于3 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，例如100 V，单位重量设计为0.003386盎司，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为ThunderFET TrenchFET，该器件采用Si技术，该器件具有PowerPAKR SC-75-6L单一供应商器件封装，系列为TrenchFETR，Rds On Max Id Vgs为185 mOhm@1.9A，10V，Rds On Drain Source Resistance为185 m欧姆，Qg栅极电荷为1.8 nC，功率最大值为13W，Pd功耗为13W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为PowerPAKR SC-75-6L，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为130pF@50V，Id连续漏极电流为6.3A，栅极电荷Qg-Vgs为5nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为6.3A（Tc），配置为单一。
SIB437EDKT-T1-GE3是MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6，包括单一配置，它们设计为在630 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了14 S中使用的正向跨导最小值，其提供Id连续漏极电流特性，如9 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用SC-75-6封装盒，该器件具有一卷封装，部件别名为SIB437EDKT-GE3，Pd功耗为2.4W，Qg栅极电荷为10.5nC，Rds漏极-源极电阻为34mOhm，上升时间为170ns，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P沟道，单位重量为0.003386oz，Vds漏极-源极击穿电压为-8V，Vgs栅极-源极电压为5V，Vgs第栅极-源阈值电压为-0.7V。
SIB455EDK-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6。SIB455EDK-T1-GE3在PowerPAK®SC-75-6L封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6、P通道12V 9A（Tc）2.4W（Ta）、13W（Tc）表面安装PowerPAK？SC-75-6L单跨接MOSFET P-CH 12V 7.8A 6引脚PowerPAK SC-75 T/R。
