9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI9435BDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI9435BDY-T1-GE3参考价格为0.98000美元。Vishay Siliconix SI9435BDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO。您可以下载SI9435BDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI9435BDY-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI9435BDY-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于SI9435BD Y-E3的零件别名，该SI9435BDY-E3提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.3W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为4.1A（Ta），最大Id Vgs的Rds为42 mOhm@5.7A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为24nC@10V，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为14纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为5.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds漏极源极电阻为42mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
SI9435B，带有VISHAY制造的用户指南。SI9435B在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI9435BDY是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8引脚SOIC N。SI9435BDY在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8引脚SOIC N。
SI9435BDY-T1，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI9435BDY-T1在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个。
