单场效应晶体管™ MOSFET是Fairchild Semiconductor的高压MOSFET家族。它在平面MOSFET中具有最小的导通电阻,并且还提供了优异的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外,内部栅源ESD二极管允许UniFET II™ MOSFET能够承受超过2000V的HBM浪涌应力。
单场效应晶体管™ MOSFET适用于开关功率转换器应用,例如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视功率、ATX(先进技术扩展)和电子镇流器。
特色
- 低栅极电荷Qg导致简单的驱动要求(典型值90nC)
- 改进了栅极、雪崩和高重新应用的dv/dt耐用性
- 降低RDS(开启)(110mΩ (典型)@VGS=10V,ID=22A)
- 减少米勒电容和低输入电容(典型Crss=40pF)
- 提高开关速度,降低EMI
- 175oC额定结温
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。