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FDV301N

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 美森科 (MSKSEMI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
100+ 0.36520 36.52020
1000+ 0.34453 344.53000
3000+ 0.30663 919.90500
10000+ 0.23615 2361.55000
50000+ 0.22279 11139.60000
  • 库存: 120000
  • 单价: ¥0.24698
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.25
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 美森科 (MSKSEMI)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 最大功耗 350mW (Ta)
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.7伏、4.5伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 220毫安(Ta)
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 4欧姆 @ 400毫安, 4.5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.06V@250A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9.5 pF @ 10 V
  • 材质 -

FDV301N 产品详情

增强型N沟道MOSFET,Fairchild半导体

增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。

特色

  • •25 V,0.22 A连续,0.5 A峰值。
  • RDS(开)=5Ω@VGS=2.7 V
  • RDS(开)=4Ω@VGS=4.5 V
  • 极低水平的栅极驱动要求,允许在3V电路中直接操作。VGS(th)<1.06
  • 栅极-源极齐纳,用于ESD加固。>6kV人体模型
  • 用一个DMOSFET替换多个NPN数字晶体管

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDV301N所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDV301N 由 美森科 (MSKSEMI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDV301N价格参考¥0.246983,你可以下载 FDV301N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDV301N规格参数、现货库存、封装信息等信息!

美森科 (MSKSEMI)

美森科 (MSKSEMI)

MSKSEMI(美森科半導體)始創于中國臺灣,是知名半導體分立元器件廠商之一,總部座落于美麗的中國-寶島臺灣新竹市從事于ESD防靜電保護管,TVS管,MOS場效應管,二三極管貼片半導體器件的研發設計及生...

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