增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- •25 V,0.22 A连续,0.5 A峰值。
- RDS(开)=5Ω@VGS=2.7 V
- RDS(开)=4Ω@VGS=4.5 V
- 极低水平的栅极驱动要求,允许在3V电路中直接操作。VGS(th)<1.06
- 栅极-源极齐纳,用于ESD加固。>6kV人体模型
- 用一个DMOSFET替换多个NPN数字晶体管
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。