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PMWD15UN，518是MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP，包括TrenchMOS？系列，它们设计用于Digi-ReelR包装，数据表注释中显示了用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-TSSOP供应商设备包装，该设备也可作为2 N通道（双通道）使用FET类型。此外，功率最大值为4.2W，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1450pF@16V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为11.6A，最大Id Vgs上的Rds为18.5 mOhm@5A，4.5V，Vgs最大Id为700mV@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为22.2nC@4.5V。
PMWD16UN，518是MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP，包括700mV@1mA Vgs th Max Id，它们设计为与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchMOS？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如19 mOhm@3.5A，4.5V，Power Max设计为3.1W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1366pF@16V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为23.6nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为9.9A。
PMWD15UN，带有KEXIN制造的电路图。PMWD15UN在TSSOP08封装中提供，是FET阵列的一部分。
PMWD16UN，带有PHILIPS制造的EDA/CAD模型。PMWD16UN在SSOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
