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PJF60R190E_T0_00001

Name: PJF60R190E_T0_00001
Brand: 强茂 (Panjit)
SKU: 7141108-PJF60R190E_T0_00001
Price: 3.693879 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A（Ta）、20A（Tc）最大功耗: 1.04W（Ta），68W（Tc）供应商设备包装: ITO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 强茂 (Panjit)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	3.69387	3.69387
10+	3.17239	31.72390
100+	2.36915	236.91530
500+	1.86142	930.71250
1000+	1.43836	1438.36800
2000+	1.31147	2622.94400
5000+	1.22687	6134.37500
10000+	1.15379	11537.94000

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单价: ¥3.69388
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规格参数

宽（英寸） 72
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
安装类别通孔
漏源电压标 (Vdss) 600 V
包装/外壳 TO-220-3全包装，独立接线片
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 62 nC @ 10 V
供应商设备包装 ITO-220AB
制造厂商强茂 (Panjit)
导通电阻 Rds(ON) 196毫欧姆@10A，10V
漏源电流 (Id) @ 温度 2.1A（Ta）、20A（Tc）
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1421 pF@25 V
最大功耗 1.04W（Ta），68W（Tc）

PJF60R190E_T0_00001 产品详情

PJF60R190E_T0_00001 相关器件

型号	制造商	描述	价格
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PJFPUWM1816	哈蒙德 (Hammond)	附件种类: 安装支架，法兰包装: 箱系列: PJU	¥210.91325
PJFPUWM2016	哈蒙德 (Hammond)	附件种类: 安装支架，法兰包装: 箱系列: PJU	¥241.69557
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PJF60R190E_T0_00001	强茂 (Panjit)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A（Ta）、20A（Tc）最大功耗: 1.04W（Ta），68W（Tc）供应商设备包装: ITO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.69388

PJF60R190E_T0_00001所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，PJF60R190E_T0_00001 由强茂 (Panjit) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PJF60R190E_T0_00001价格参考￥3.693879，你可以下载 PJF60R190E_T0_00001中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PJF60R190E_T0_00001规格参数、现货库存、封装信息等信息！