RM8N650LD
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-252-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 瑞特隆 (Rectron)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 25000
- 库存: 0
- 单价: ¥3.76631
-
数量:
- +
- 总计: ¥94,157.70
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@250A.
- 最大功耗 80W (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 680 pF @ 50 V
- 制造厂商 瑞特隆 (Rectron)
- 导通电阻 Rds(ON) 540毫欧姆 @ 4A, 10V
- 供应商设备包装 TO-252-2
RM8N650LD 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RM8205F | 瑞特隆 (Rectron) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.49252 |
 | RM8810 | 瑞特隆 (Rectron) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.65186 |
 | RM8N650T2 | 瑞特隆 (Rectron) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
| RM8N650LD | 瑞特隆 (Rectron) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-252-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
 | RM84870309 | LIQUID LEVEL CONTROL RELAY RM84 | ¥0.00 | |
| RM84870303 | LIQUID LEVEL CONTROL RELAY RM84 | ¥0.00 | |
| RM84870304 | LIQUID LEVEL CONTROL RELAY RM84 | ¥0.00 | |
| RM84870404 | LIQUID LEVEL CONTROL RELAY RM84 | ¥0.00 | |
| RM84870301 | LIQUID LEVEL RELAY 250V 8A RM84 | ¥0.00 | |
| RM8W | 5-1/8"WX5-1/8"L STAYFLAT MAILER, | ¥0.00 |
RM8N650LD所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RM8N650LD 由 瑞特隆 (Rectron) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RM8N650LD价格参考￥3.766308，你可以下载 RM8N650LD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RM8N650LD规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞特隆 (Rectron)
Rectron有限公司成立于1976年，由一群经验丰富的半导体工程师组成。Rectron迅速成为公认的高质量分立半导体供应商。1985年，Rectron在美国、伦敦和香港开设了全资子公司。此后，他们增强...
