这种新一代MOSFET具有低导通电阻和快速切换的特点，是高效电源管理应用的理想选择。
特色
- 低RDS（ON）–确保最大程度地减少接通状态损失
- 小尺寸热效率封装可实现更高密度的最终产品
- 完全无铅且完全符合RoHS
- 无卤素和锑。“绿色”设备
应用
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
DMN10H100SK3-13
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.93917 | 5.93917 |
| 10+ | 5.24386 | 52.43860 |
| 100+ | 4.02125 | 402.12580 |
| 500+ | 3.17890 | 1589.45450 |
| 1000+ | 2.54312 | 2543.12700 |
| 2500+ | 2.30469 | 5761.72750 |
| 5000+ | 2.16743 | 10837.19000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥5.93918
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.94
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 供应商设备包装 TO-252-3
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 漏源电流 (Id) @ 温度 18A（Tc）
- 最大功耗 37W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 3.3A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25.2 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1172 pF@50 V
DMN10H100SK3-13 产品详情
DMN10H100SK3-13 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DMNF1-285-C | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.110英寸（2.79毫米） 端接: 压接 | ¥4.86723 |
| DMNF1-488FIB-M | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米） 端接: 压接 | ¥3.47659 |
| DMNF6-63M-L | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 公接头 线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥2.79576 |
 | DMN62D0LFB-7B | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 供应商设备包装: X1-DFN1006-3 | ¥0.64831 |
 | DMN3029LFG-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 | ¥1.20652 |
 | DMN3029LFG-7 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.20652 |
| DMN6140L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.7471 |
| DMN2041L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.50199 |
| DMN6068SE-13-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A | ¥3.32099 | |
| DMN2004WK | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.29688 |
DMN10H100SK3-13所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMN10H100SK3-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMN10H100SK3-13价格参考￥5.939178，你可以下载 DMN10H100SK3-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMN10H100SK3-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
