9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD2N105K5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD2N105K5参考价格为2.05000美元。STMicroelectronics STD2N105K5封装/规格：MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK。您可以下载STD2N105K5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STD2N105K5带有引脚细节，包括MDmesh K5系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3以及Si技术，该设备也可用于1信道数信道。此外，该配置是单一的，该器件提供60 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为38.5 ns，上升时间为8.5 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为1.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为1050 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为3V，Rds漏极-源极电阻为6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为14.5ns，Qg栅极电荷为10nC，沟道模式为增强。
STD2LN60K3是MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET，包括4.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，典型的开启延迟时间设计为10 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道MDmesh系列，上升时间为8.5 ns，Rds漏极-源极电阻为4.5欧姆，Qg栅极电荷为12 nC，Pd功耗为45 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为2A，下降时间为21ns，通道模式为增强型。
STD2HNK60Z-1是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 2A IPAK。STD2hnB60Z-1可提供TO-251-3长引线、IPAK、TO-251AB封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH600V 2A IPA、N通道600V 2A（Tc）45W（Tc）通孔I-Pak、跨MOSFET N-CH2600V 2A 3引脚（3+Tab）IPAK管、MOSFET N-CH、600V-4.4ohms齐纳SuperMESH 2A。
STD2HNK60ZT4，带有STD/CAD模型。STD2HNC60ZT4采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
