STD5N52U

Name: STD5N52U
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7142318-STD5N52U
Price: 8.401764 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 525 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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数量	单价	合计
1+	9.27091	9.27091
10+	8.27863	82.78635
100+	6.45414	645.41480
500+	5.33149	2665.74950
1000+	4.46416	4464.16100
2500+	4.46416	11160.40250

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
供应商设备包装 DPAK
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 50A
最大功耗 70W (Tc)
漏源电流 (Id) @ 温度 4.4A (Tc)
导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@2.2A，10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16.9 nC@10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 529 pF @ 25 V
漏源电压标 (Vdss) 525 V
材质 -

STD5N52U 产品详情

这些器件是使用UltraFASTmesh开发的N沟道功率MOSFET™ 该技术结合了降低导通电阻、齐纳栅保护和极高的dv/dt能力的优点，并具有增强的快速体漏恢复二极管。

特色

独立dv/dt能力
网关费用最小化
Verylowintrinsic电容
VerylowRDS（打开）
极低trr

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型号	制造商	描述	价格
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STDLED627	意法半导体 (STMicroelectronics)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥56.69742
STD20NF06L	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.66974
STDP9320-BB	意法半导体 (STMicroelectronics)		¥218.39009

STD5N52U所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD5N52U 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD5N52U价格参考￥8.401764，你可以下载 STD5N52U中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD5N52U规格参数、现货库存、封装信息等信息！