这些基于超级结技术的功率MOSFET具有600V-800V级MOSFET中最低的RDS（开启）。内部DCB隔离简化了组装，并降低了从接头到散热器的热阻。这些设备具有雪崩等级，从而保证了坚固的操作。
特色
- 直接铜键合衬底上的硅片
- 第三代CoolMOS™（1） 功率MOSFET
- 增强的总功率密度
- 低热阻
应用
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 功率因数校正（PFC）
- 焊接
- 感应加热
优势：
- 易于组装
- 节省空间
- 高功率密度
IXKN75N60C
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 560W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 493.45877 | 493.45877 |
| 10+ | 463.58181 | 4635.81815 |
| 100+ | 423.23596 | 42323.59640 |
- 库存: 920
- 单价: ¥493.45878
-
数量:
- +
- 总计: ¥493.46
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 75A (Tc)
- 安装类别 机箱安装
- 供应商设备包装 SOT-227B
- 包装/外壳 SOT-227-4，迷你超直瞄
- 最大功耗 560W (Tc)
- 场效应管特性 超级结
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 500 nC @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 36毫欧姆 @ 50A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.9V @ 5毫安
IXKN75N60C 产品详情
IXKN75N60C 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXKH70N60C5 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥171.36701 |
 | IXKH47N60C | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥180.5655 |
 | IXKR25N80C | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 供应商设备包装: 等值线247 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥185.70796 |
 | IXKK85N60C | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 供应商设备包装: TO-264AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥345.4139 |
| IXKN75N60C | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 560W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥493.45878 |
 | IXKR47N60C5 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 供应商设备包装: 等值线247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥181.43465 |
 | IXKN40N60C | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 290W（Tc） 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥276.24421 |
 | IXKN45N80C | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 380W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥397.99736 |
 | IXKH35N60C5 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥84.1625 |
 | IXKC23N60C5 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A（Tc） 供应商设备包装: 等值线220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥82.17505 |
IXKN75N60C所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXKN75N60C 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXKN75N60C价格参考￥493.458777，你可以下载 IXKN75N60C中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXKN75N60C规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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