9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2075UDW-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2075UDW-7参考价格为0.46000美元。Diodes Incorporated DMN2075UDW-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363。您可以下载DMN2075UDW-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2075U-7是MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23，包括DMN2075系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为800mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为594.3pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.2A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为38 mOhm@3.6A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7nC@4.5V，Pd功耗为800 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6.7 ns，上升时间为9.8ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为4.2A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28.1ns，典型导通延迟时间为7.4ns，沟道模式为增强型。
DMN2075U，带有DIODES制造的用户指南。DMN2075U采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
DMN2075U-7-F，电路图由Diodes制造。DMN2075U-7-F采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
