SIHG14N50D-GE3

Name: SIHG14N50D-GE3
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7142526-SIHG14N50D-GE3
Price: 24.915576 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc）最大功耗: 208W（Tc）供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
交期:5-7 工作日

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数量	单价	合计
1+	24.91557	24.91557
10+	22.37331	223.73318
100+	18.33250	1833.25040
500+	15.60613	7803.06600
1000+	14.10192	14101.92600

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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
安装类别通孔
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
供应商设备包装 TO-247AC
包装/外壳至247-3
最大功耗 208W（Tc）
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
漏源电压标 (Vdss) 500 V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
漏源电流 (Id) @ 温度 14A（Tc）
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 58 nC @ 10 V
导通电阻 Rds(ON) 400毫欧姆 @ 7A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1144 pF@100 V

SIHG14N50D-GE3 产品详情

SIHG14N50D-GE3 相关器件

型号	制造商	描述	价格
SIHD6N80E-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥16.15167
SIHA11N80E-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc）最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥26.87116
SIHG30N60E-GE3	威世半导体 (Vishay Cera-Mite)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc）最大功耗: 250W（Tc）供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥17.00429
SIHB33N60EF-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 278W（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥49.32415
SIHP100N60E-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W（Tc）供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥37.80794
SIHB100N60E-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥38.4598
SIHF065N60E-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥51.93159
SIHB21N65EF-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc）最大功耗: 208W（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥38.53223
SIHP120N60E-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc）最大功耗: 179W（Tc）供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥39.11166
SIHF12N50C-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc）最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥39.90838

SIHG14N50D-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SIHG14N50D-GE3 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIHG14N50D-GE3价格参考￥24.915576，你可以下载 SIHG14N50D-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIHG14N50D-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！