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RRL035P03FRATR

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.47659 3.47659
10+ 2.95510 29.55103
100+ 2.20836 220.83600
500+ 1.73525 867.62700
1000+ 1.34087 1340.87800
3000+ 1.22252 3667.58700
6000+ 1.14372 6862.35600
  • 库存: 47
  • 单价: ¥3.47659
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.48
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规格参数

  • 宽(英寸) thirty-six
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 场效应管类型 P-通道
  • 最大功耗 1W(Ta)
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.5A(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 包装/外壳 6-SMD, Flat Leads
  • 供应商设备包装 TUMT6
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 800 pF @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 3.5A, 10V
  • 材质 橡胶

RRL035P03FRATR 产品详情

功率MOSFET通过微处理技术制成低导通电阻器件,适用于广泛的应用。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型,以满足市场上的各种需求。

特色

  • 4.V-驱动器类型
  • Pch中功率MOSFET
  • 快速切换速度
  • 小型表面安装组件
  • 无铅/符合RoHS


RRL035P03FRATR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RRL035P03FRATR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RRL035P03FRATR价格参考¥3.476592,你可以下载 RRL035P03FRATR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RRL035P03FRATR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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