MSJW20N65-BP
- 描述:MOSFET N-CH TO247
- 品牌: 微型商业组件 (Micro)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 31.43418 | 31.43418 |
| 10+ | 28.25455 | 282.54553 |
| 100+ | 23.14830 | 2314.83080 |
| 500+ | 19.70604 | 9853.02400 |
| 1000+ | 16.61955 | 16619.55800 |
| 2000+ | 16.18788 | 32375.76400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥31.43419
-
数量:
- +
- 总计: ¥31.43
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管特性 -
- 安装类别 通孔
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 包装/外壳 至247-3
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Tc）
- 制造厂商 微型商业组件 (Micro)
- 技术 -
- 场效应管类型 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
MSJW20N65-BP 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MSJPF11N65-BP | 微型商业组件 (Micro) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 31.3W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.94839 |
 | MSJP11N65-BP | 微型商业组件 (Micro) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB (H) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.12366 |
 | MSJAC11N65Y-TP | 微型商业组件 (Micro) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: DFN5060 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.89236 |
 | MSJU11N65-TP | 微型商业组件 (Micro) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.28492 |
 | MSJP20N65-BP | 微型商业组件 (Micro) | MOSFET N-CH TO220AB | ¥25.35015 |
 | MSJPF20N65-BP | 微型商业组件 (Micro) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 31.3W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥25.35015 |
| MSJW20N65-BP | 微型商业组件 (Micro) | MOSFET N-CH TO247 | ¥31.43419 |
| MSJPF11N65A-BP | 微型商业组件 (Micro) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A 最大功耗: 31.3W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.49981 |
| MSJU07N65A-TP | 微型商业组件 (Micro) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.00921 |
| MSJU11N65A-TP | 微型商业组件 (Micro) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A 最大功耗: 83.3W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.89236 |
MSJW20N65-BP所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，MSJW20N65-BP 由 微型商业组件 (Micro) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MSJW20N65-BP价格参考￥31.434186，你可以下载 MSJW20N65-BP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MSJW20N65-BP规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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