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AON1605

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 3-DFN(1.0 x 0.60) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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数量 单价 合计
10000+ 0.48440 4844.05000
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规格参数

  • 宽(英寸) thirty-six
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@250A.
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 制造厂商 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 最大功耗 900mW (Ta)
  • 包装/外壳 3-UFDFN
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 700毫安 (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 710毫欧姆 @ 400毫安, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 750 pF @ 4.5 V
  • 供应商设备包装 3-DFN(1.0 x 0.60)

AON1605 产品详情

AON1605在小型DFN 1.0 x 0.6封装中采用了先进的沟槽MOSFET技术。该设备非常适合负载开关应用。

产品概要
VDS-20伏
内径(VGS=-4.5V时)-0.7A
RDS(开启)(VGS=-4.5V时)<710mΩ
RDS(开启)(VGS=-2.5V时)<930mΩ
RDS(开启)(VGS=-1.8V时)<1250mΩ

典型ESD保护HBM 1C级

AON1605所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AON1605 由 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AON1605价格参考¥0.484405,你可以下载 AON1605中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AON1605规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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