特色
- 4.Ｖ-驱动器类型
- Nch中功率MOSFET
- 快速切换速度
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
RVQ040N05HZGTR
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.22889 | 6.22889 |
| 10+ | 5.49736 | 54.97361 |
| 100+ | 4.21247 | 421.24710 |
| 500+ | 3.33028 | 1665.14250 |
| 1000+ | 2.66422 | 2664.22800 |
| 3000+ | 2.41442 | 7243.26300 |
| 6000+ | 2.27064 | 13623.89400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.22889
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.23
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 漏源电压标 (Vdss) 45伏
- 最大功耗 950毫瓦（Ta）
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 供应商设备包装 TSMT6（SC-95）
- 导通电阻 Rds(ON) 53毫欧姆 @ 4A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.8 nC @ 5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 530 pF @ 10 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±21V
RVQ040N05HZGTR 产品详情
功率MOSFET通过微处理技术制成低导通电阻器件，适用于广泛的应用。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场上的各种需求。
RVQ040N05HZGTR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RVQ040N05TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.48045 |
| RVQ040N05HZGTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.22889 |
RVQ040N05HZGTR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RVQ040N05HZGTR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RVQ040N05HZGTR价格参考￥6.228894，你可以下载 RVQ040N05HZGTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RVQ040N05HZGTR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
