NTD5865NLT4G

Name: NTD5865NLT4G
Brand: 台舟 (TECH PUBLIC)
SKU: 7144646-NTD5865NLT4G
Price: 2.669400 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 71W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
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10+	2.14392	21.43927
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100+	1.62896	162.89640
500+	1.50285	751.42550
1000+	1.42928	1429.28500

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规格参数

制造厂商台舟 (TECH PUBLIC)
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
供应商设备包装 DPAK
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1400 pF @ 25 V
漏源电流 (Id) @ 温度 46A (Tc)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 29 nC @ 10 V
导通电阻 Rds(ON) 16毫欧姆@20A，10V
最大功耗 71W (Tc)

NTD5865NLT4G 产品详情

功率MOSFET 60V 34A 16mOhm单N沟道DPAK/DPAK逻辑电平

特色

低RDS（打开）
最小传导损耗
高电流能力
强大的负载性能
100%雪崩测试
电压过载保护
符合RoHS

应用

发光二极管背光应用
DC-DC转换器
电机驱动器
UPS逆变器

（图片：引出线）

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型号	制造商	描述	价格
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NTD2955-001	安盛美 (onsemi)	MOSFET P-CH 60V 12A IPAK	¥1.01401
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NTD4404N1G	安盛美 (onsemi)	POWER MOSFET, 85 A, 24 V, N-CHAN	¥2.96959
NTD2955-1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）最大功耗: 55W (Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥6.37375
NTD50N03RT4	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 25伏漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Ta), 45A (Tc) 最大功耗: 1.5W（Ta）、50W（Tc）供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥0.72429
NTD4808N-35G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、63A（Tc）最大功耗: 1.4W（Ta），54.6W（Tc）供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥0.72429
NTD4970N-35G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta), 36A (Tc) 最大功耗: 1.38W（Ta），24.6W（Tc）供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥2.46259
NTDV20N06T4G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta）最大功耗: 1.88W（Ta），60W（Tj）供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.25931

NTD5865NLT4G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTD5865NLT4G 由台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTD5865NLT4G价格参考￥2.669400，你可以下载 NTD5865NLT4G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTD5865NLT4G规格参数、现货库存、封装信息等信息！