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NTD360N65S3H

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 14.77551 14.77551
10+ 13.25450 132.54507
100+ 10.65213 1065.21330
500+ 8.75174 4375.87050
1000+ 7.95618 7956.18100
2500+ 7.95618 19890.45250
  • 库存: 0
  • 单价: ¥14.12366
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥14.78
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 供应商设备包装 D-PAK (TO-252)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10A(Tc)
  • 最大功耗 83W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 360毫欧姆 @ 5A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 700A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17.5 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 916 pF@400 V
  • 种类 -
  • 材质 -
  • 色彩/颜色 -

NTD360N65S3H 产品详情

NTD360N65S3H所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTD360N65S3H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTD360N65S3H价格参考¥14.123655,你可以下载 NTD360N65S3H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTD360N65S3H规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

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