9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMN2013UFDE-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2013UFDE-7参考价格为0.20238美元。Diodes Incorporated DMN2013UFDE-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN。您可以下载DMN2013UFDE-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2011UFX-7，带有引脚细节，包括DMN2011系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如4-WFDFN暴露焊盘，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在V-DFN2050-4供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为2.1W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为2248pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12.2A（Ta），最大Id Vgs的Rds为9.5 mOhm@10A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为56nC@10V，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13.5 ns 13.5 ns，上升时间为2.6 ns 2.6 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-12 V+/-12 V，Id连续漏极电流为12.2 A 12.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V 20 V，Vgs第二栅极-源阈值电压为300 mV 300 mV，Rds漏极源极电阻为13 mOhms 13 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21.6 ns 21.6 ns，典型的开启延迟时间为3.6ns 3.6ns，Qg栅极电荷为56nC 56nC，信道模式为增强。
带有用户指南的DMN2011UFDE-7，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在1 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，数据表中显示了用于12 V的Vgs栅极-源电压，提供了Vds漏极-源极击穿电压特性，如20 V，典型开启延迟时间设计为3.6 ns，以及21.6 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的U-DFN2020-6，系列为DMN2011，上升时间为2.6ns，Rds On Max Id Vgs为9.5mOhm@7A，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为15mOhm，Qg栅极电荷为56nC，最大功率为610mW，Pd功耗为1.97W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为6-UDFN暴露垫，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为2248pF@10V，Id连续漏极电流为11.7A，栅极电荷Qg Vgs为56nC@10V；FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为13.5ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为11.7A（Ta），配置为单一，信道模式是增强。
DMN2011UFDE-13，带有电路图，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间如数据表注释所示，用于13.5 ns，提供Id连续漏极电流特性，如11.7 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用UDFN2020-6封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为1.97W，Qg栅极电荷为56nC，漏极电阻Rds为15mOhm，上升时间为2.6ns，系列为DMN2011，技术为Si，商品名为PowerDI，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为21.6ns，典型接通延迟时间为3.6ns，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极电压为12V，Vgs栅-源极阈值电压为1V。
