- 适用于开关（电机驱动等）和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
特色
•低导通状态电阻：RDS（导通）1=最大31 m（VGS=–10 V，ID=–18 A）RDS（导开）2=最大46 m（VGS=–4.0 V，ID＝–18 A。•低输入电容：Cis=3300 pF TYP。（VDS=–10 V，VGS=0 V）•内置栅极保护二极管•TO-251/TO-252封装
2SJ601-ZK-E1-AZ
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 1W（Ta），65W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 150摄氏度
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 12.38535 | 12.38535 |
| 10+ | 11.09612 | 110.96123 |
| 25+ | 10.53407 | 263.35185 |
| 80+ | 8.65258 | 692.20688 |
| 230+ | 8.08814 | 1860.27358 |
| 440+ | 7.14772 | 3145.00032 |
| 945+ | 5.92686 | 5600.88742 |
- 库存: 0
- 单价: ¥12.38536
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.39
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 工作温度 150摄氏度
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 63 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 36A (Tc)
- 供应商设备包装 TO-252 (MP-3ZK)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3300 pF @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 31毫欧姆 @ 18A, 10V
- 最大功耗 1W（Ta），65W（Tc）
2SJ601-ZK-E1-AZ 产品详情
2SJ601-ZK-E1-AZ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| 2SJ598-ZK-E1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 1W（Ta），23W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 150摄氏度 | ¥7.17047 |
| 2SJ358C-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ358C-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FE | ¥5.60811 |
| 2SJ358-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET | ¥5.60811 |
| 2SJ529L06-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ529L06 - P-CHANNEL POWER MOSF | ¥6.8147 |
| 2SJ635-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 2SJ635 - P-CHANNEL SILICON MOSFE | ¥2.63642 |
| 2SJ607-ZJ-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ607-ZJ-AZ - SWITCHING P-CHANN | ¥31.41108 |
| 2SJ604-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ604-Z-AZ - SWITCHING P-CHANNE | ¥13.10661 |
| 2SJ604-ZJ-E1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ604-ZJ-E1-AZ - SWITCHING P-CH | ¥15.66777 |
 | 2SJ681(Q) | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 20W（Ta） 供应商设备包装: PW-MOLD2 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥11.8349 |
| 2SJ532-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ532 - P-CHANNEL POWER MOSFET, | ¥14.38744 |
2SJ601-ZK-E1-AZ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2SJ601-ZK-E1-AZ 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SJ601-ZK-E1-AZ价格参考￥12.385359，你可以下载 2SJ601-ZK-E1-AZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SJ601-ZK-E1-AZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
