9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON7568，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON7568参考价格为0.20735美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON7568封装/规格：MOSFET N-CH 30V 25A/32A 8DFN。您可以下载AON7568英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON7528是MOSFET N-CH 30V 45A 8DFN，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计为与8-PowerSMD、扁平引线封装盒一起工作，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在8-DFN（3x3）中工作，金属氧化物FET型，该器件也可以用作6.2W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供2895pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为45A（Ta），50A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2 mOhm@20A，10V，Vgs th最大Id为2.2V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为60nC@10V。
AON7534是MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-DFN（3x3）供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于5 mOhm@20A，10V，提供功率最大功能，如3W，封装设计为在Digi-ReelR交替封装中工作，以及8-PowerSMD，扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1037pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有22nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为20A（Ta），30A（Tc）。
AON7544，电路图由AOS制造。AON7544采用DFN封装，是IC芯片的一部分，N沟道30V 30A（Tc）23W（Tc）表面安装8-DFN-EP（3x3），Trans-MOSFET N-CH 30V 30B 8引脚DFN-A EP。
AON7548，带有AOS制造的EDA/CAD模型。AON7548采用DFN3x3封装，是IC芯片的一部分，支持N通道30V 24A（Tc）3.1W（Ta）、23W（Tc）表面安装8-DFN（3x3）。
