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DMN67D8L-7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 210毫安(Ta) 最大功耗: 340mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.59343 1.59343
10+ 1.43409 14.34094
100+ 0.78078 78.07850
500+ 0.48020 240.10200
1000+ 0.32745 327.45200
3000+ 0.27834 835.03500
6000+ 0.25103 1506.23400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥1.59344
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.59
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 22 pF@25 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 500毫安, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.82 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 210毫安(Ta)
  • 最大功耗 340mW (Ta)

DMN67D8L-7 产品详情

DMN67D8L-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMN67D8L-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN67D8L-7价格参考¥1.593438,你可以下载 DMN67D8L-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN67D8L-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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