- 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
UPA2826T1S-E2-AT
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Ta) 最大功耗: 20W(Ta) 供应商设备包装: 8-HWSON (3.3x3.3) 工作温度: 150摄氏度
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 12.60264 | 12.60264 |
10+ | 11.28443 | 112.84438 |
25+ | 10.70790 | 267.69757 |
80+ | 8.79563 | 703.65064 |
230+ | 8.22228 | 1891.12555 |
440+ | 7.26607 | 3197.07388 |
945+ | 5.80590 | 5486.58400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥12.60265
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.60
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 工作温度 150摄氏度
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@1毫安
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、8伏
- 供应商设备包装 8-HWSON (3.3x3.3)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3610 pF @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 27A(Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 4.3毫欧姆 @ 13.5A, 8V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 37 nC @ 4 V
- 最大功耗 20W(Ta)
UPA2826T1S-E2-AT 产品详情
UPA2826T1S-E2-AT所属分类:分立场效应晶体管 (FET),UPA2826T1S-E2-AT 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。UPA2826T1S-E2-AT价格参考¥12.602646,你可以下载 UPA2826T1S-E2-AT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UPA2826T1S-E2-AT规格参数、现货库存、封装信息等信息!
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...