9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD3N65M6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD3N65M6参考价格为0.55440美元。STMicroelectronics STD3N65M6封装/规格：MOSFET N-CH 650V DPAK。您可以下载STD3N65M6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如STD3N65M6价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STD3N40K3是MOSFET N CH 400V 2A DPAK，包括N通道MDmesh系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于4 g，提供SMD/SMT等安装方式功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，封装外壳为TO-252-3，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有30W的Pd功耗，下降时间为14ns，上升时间为8ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为1.8A，Vds漏极-源极击穿电压为400V，第Vgs栅极源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-源极电阻为3.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为11nC。
STD3LN62K3是MOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm SuperMESH3 3 Ohm RDS，包括3.75 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于620 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为N沟道MDmesh，器件提供7 ns上升时间，器件具有2.5欧姆Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为17 nC，Pd功耗为45 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装样式为SMD/SMT，Id连续漏极电流为2.5 a，下降时间为27ns。
STD38NH02LT4-E是由ST制造的MOSFET N-CH 24V 38A DPAK。STD38NH32LT4-E可提供TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH24V 38A DPE。
STD3N30采用STD/CAD模型制造。STD3N3采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
