9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHU3N50D-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHU3N50D-E3参考价格为0.42768美元。Vishay Siliconix SIHU3N50D-E3封装/规格：MOSFET N-CH 500V 3A TO251AA。您可以下载SIHU3N50D-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SiHS90N65E-E3带有引脚细节，包括E系列，它们设计用于卷筒包装，安装样式如数据表注释所示，用于通孔，提供E系列等商品名功能，包装盒设计用于TDFN-4以及Si技术，该设备也可作为1信道数信道使用。此外，该配置为1个N沟道，该器件为1个N-沟道晶体管类型，该器件具有625 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为267 ns，上升时间为152 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为87 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，第Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为325ns，典型接通延迟时间为85ns，Qg栅极电荷为394nC，正向跨导最小值为32S，沟道模式为增强。
带有用户指南的SIHS20N50C-E3，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了E等系列功能，通道数设计为在1个通道中工作。
SIHP5N50D，带有VISHIA制造的电路图。SIHP5N50D提供TO-220封装，是FET的一部分-单个。
