9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN6040SVTQ-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN6040SVTQ-13参考价格为0.21660美元。Diodes Incorporated DMN6040SVTQ-13封装/规格：MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26。您可以下载DMN6040SVTQ-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMN6040SVTQ-13价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMN6040SSD-13是MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO，包括DMN6040系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为1.3W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1287pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5A，最大Id Vgs上的Rds为40 mOhm@4.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为22.4nC@10V，Pd功耗为1.7W，其最大工作温度范围为+150℃，其最小工作温度范围是-55℃，下降时间为4 ns，上升时间为8.1 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs第栅极-源阈值电压为3 V，Rds导通漏极-源极电阻为55mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20.1ns，典型接通延迟时间为6.6ns，Qg栅极电荷为22.4nC，正向跨导最小值为4.5S，沟道模式为增强。
DMN6040SSDQ-13是MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于8-SO，以及DMN6040系列，该设备也可用于40 mOhm@4.5A，最大Id Vgs上的10V Rds。此外，功率最大值为1.3W，该设备采用Digi-ReelR替代包装包装，该器件有一个8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为1287pF@25V，栅极电荷Qg-Vgs为22.4nC@110V，FET类型为2N通道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为60V，25°C的电流连续漏极Id为5A（Ta）。
DMN6040SSS-13是MOSFET MOSFET BVDSS:41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K，包括5.5 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于SO-8的封装情况，该SO-8提供了卷盘、Rds漏极电阻等封装功能，设计工作在55 mOhms，以及DMN60系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为0.002610盎司，器件具有60 V的Vds漏极-源极击穿电压。
DMN6040SSS，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMN6040SSS在SO-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
